1. MOS C-V (Capacitance-Voltage) 특성MOS C-V 특성은 성능을 측정하기 위해 전압을 달리하여 그 변화를 확인하는 방법이다.1.1. Accumulation 영역게이트 전압이 충분히 낮을 때 다수 캐리어들이 반도체 표면에 축적된다.전하량은 축적된 전하의 양에 따라 변한다. Gate 전압에 비례한다. 전기 용량 Cox는 산화막 두께가 변하지 않기 때문에 일정하게 유지된다. 1.2. Depletion 영역게이트 전압이 증가하면서 반도체 표면의 다수 캐리어가 밀려나고, 고갈층(Depletion region)이 형성된다.전하량의 범위가 변화하는 이유: 고갈된 영역이 커지면서 전하량이 줄어들기 때문이다.전기 용량은 고갈층의 두께에 비례하므로, C_dep (Depletion region..